AXT Inc【AXTI】 業績・財務データ NASDAQ

AXT株式会社(AXT)も、ウェーハとして知られている化合物と単一元素半導体基板、の開発者とプロデューサーです。半導体チップ等の電子回路を製造する際に使用される支配的な基板はシリコンから作られます。当社は、化合物半導体基板や材料の販売、設計、開発、製造、流通に従事しています。当社は、化合物および単一素子基板などの基板またはウェハの形で代替または特殊材料を提供します。その化合物の基板は、ヒ素(GaAsの)とリン(InPの)またはガリウムをインジウム組み合わせます。その単一の素子基板は、ゲルマニウム(Ge)から作られます。当社は、単結晶インジウムリン(InP)、ガリウム砒素(GaAs)や多様な電子および光電子デバイスと回路アプリケーションのためのウェーハを製造するために使用されるゲルマニウム(Ge)インゴットを成長させるための垂直温度勾配凝固(VGF)技術を使用しています。

AXT Inc【AXTI】 業績・財務データ NASDAQ

AXT株式会社(AXT)も、ウェーハとして知られている化合物と単一元素半導体基板、の開発者とプロデューサーです。半導体チップ等の電子回路を製造する際に使用される支配的な基板はシリコンから作られます。当社は、化合物半導体基板や材料の販売、設計、開発、製造、流通に従事しています。当社は、化合物および単一素子基板などの基板またはウェハの形で代替または特殊材料を提供します。その化合物の基板は、ヒ素(GaAsの)とリン(InPの)またはガリウムをインジウム組み合わせます。その単一の素子基板は、ゲルマニウム(Ge)から作られます。当社は、単結晶インジウムリン(InP)、ガリウム砒素(GaAs)や多様な電子および光電子デバイスと回路アプリケーションのためのウェーハを製造するために使用されるゲルマニウム(Ge)インゴットを成長させるための垂直温度勾配凝固(VGF)技術を使用しています。

AXT IncのROA推移

(単位:百万円) ROA 前年比
2022年12月 5.34% +2.1%
2021年12月 5.23% +170.98%
2020年12月 1.93% -371.83%
2019年12月 -0.71% -114.03%
2018年12月 5.06% -8.83%
2017年12月 5.55% +50.82%
2016年12月 3.68% -359.15%
2015年12月 -1.42% +230.23%
2014年12月 -0.43% -89.54%
2013年12月 -4.11% -210.19%
2012年12月 3.73%
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