NVE Corporation【NVEC】 業績・財務データ NASDAQ

NVE社は、取得、保存、情報を送信するために電子スピンに依存しているナノテクノロジーを開発し、スピントロニクスを使用するデバイスを販売しています。当社は、データを取得し、送信するために使用されるセンサーやカプラなどのスピントロニクス製品を製造しています。また、当社はスピントロニクス磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ技術(MRAM)をライセンス供与しています。その部品は、産業、科学、および医療用途に見られます。同社の製品は、センサー、カプラーおよびMRAM製品が含まれます。そのセンサ製品は、磁界の強さや傾きを検出し、位置または速度を決定するために使用されます。そのスピントロニクスカプラーは、GMRセンサ素子とIsoLoop統合顕微鏡コイルを組み合わせます。 MRAMは、データを格納するスピントロニクスを利用します。これは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュメモリの不揮発性の密度の速度を組み合わせました。データは、薄い金属合金膜中の電子のスピンに格納されます。

NVE Corporation【NVEC】 業績・財務データ NASDAQ

NVE社は、取得、保存、情報を送信するために電子スピンに依存しているナノテクノロジーを開発し、スピントロニクスを使用するデバイスを販売しています。当社は、データを取得し、送信するために使用されるセンサーやカプラなどのスピントロニクス製品を製造しています。また、当社はスピントロニクス磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ技術(MRAM)をライセンス供与しています。その部品は、産業、科学、および医療用途に見られます。同社の製品は、センサー、カプラーおよびMRAM製品が含まれます。そのセンサ製品は、磁界の強さや傾きを検出し、位置または速度を決定するために使用されます。そのスピントロニクスカプラーは、GMRセンサ素子とIsoLoop統合顕微鏡コイルを組み合わせます。 MRAMは、データを格納するスピントロニクスを利用します。これは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュメモリの不揮発性の密度の速度を組み合わせました。データは、薄い金属合金膜中の電子のスピンに格納されます。

NVE Corporationの営業利益率推移

(単位:百万円) 営業利益率 前年比
2022年3月 60.51% +1.46%
2021年3月 59.64% -2.31%
2020年3月 61.05% +1.48%
2019年3月 60.16% -2.62%
2018年3月 61.78% +5.14%
2016年3月 58.76% -6.66%
2015年3月 62.95% +13.42%
2014年3月 55.5% -1.28%
2013年3月 56.22% +12.58%
2012年3月 49.94%
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