NVE Corporation【NVEC】 業績・財務データ NASDAQ

NVE社は、取得、保存、情報を送信するために電子スピンに依存しているナノテクノロジーを開発し、スピントロニクスを使用するデバイスを販売しています。当社は、データを取得し、送信するために使用されるセンサーやカプラなどのスピントロニクス製品を製造しています。また、当社はスピントロニクス磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ技術(MRAM)をライセンス供与しています。その部品は、産業、科学、および医療用途に見られます。同社の製品は、センサー、カプラーおよびMRAM製品が含まれます。そのセンサ製品は、磁界の強さや傾きを検出し、位置または速度を決定するために使用されます。そのスピントロニクスカプラーは、GMRセンサ素子とIsoLoop統合顕微鏡コイルを組み合わせます。 MRAMは、データを格納するスピントロニクスを利用します。これは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュメモリの不揮発性の密度の速度を組み合わせました。データは、薄い金属合金膜中の電子のスピンに格納されます。

NVE Corporation【NVEC】 業績・財務データ NASDAQ

NVE社は、取得、保存、情報を送信するために電子スピンに依存しているナノテクノロジーを開発し、スピントロニクスを使用するデバイスを販売しています。当社は、データを取得し、送信するために使用されるセンサーやカプラなどのスピントロニクス製品を製造しています。また、当社はスピントロニクス磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ技術(MRAM)をライセンス供与しています。その部品は、産業、科学、および医療用途に見られます。同社の製品は、センサー、カプラーおよびMRAM製品が含まれます。そのセンサ製品は、磁界の強さや傾きを検出し、位置または速度を決定するために使用されます。そのスピントロニクスカプラーは、GMRセンサ素子とIsoLoop統合顕微鏡コイルを組み合わせます。 MRAMは、データを格納するスピントロニクスを利用します。これは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュメモリの不揮発性の密度の速度を組み合わせました。データは、薄い金属合金膜中の電子のスピンに格納されます。

NVE CorporationのROE推移

(単位:百万円) ROE 前年比
2022年3月 21.42% +36.35%
2021年3月 15.71% -13.06%
2020年3月 18.07% +5.36%
2019年3月 17.15% +14.49%
2018年3月 14.98% +26.52%
2016年3月 11.84% -12.62%
2015年3月 13.55% +20.23%
2014年3月 11.27% -16.39%
2013年3月 13.48%
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