Ultratech, Inc.の自己資本比率推移
(単位:百万ドル) | 自己資本比率 | 前年比 |
---|---|---|
2016年12月 | 87.88% | +0.05% |
2015年12月 | 87.84% | +0.45% |
2014年12月 | 87.45% | -1.77% |
2013年12月 | 89.03% | +3.69% |
2012年12月 | 85.86% |
ウルトラテック株式会社(ウルトラ)は、開発、製造およびフォトリソグラフィ、レーザー熱加工・検査装置を販売しています。当社は、集積回路及びナノテクノロジー部品部門のメーカーに製造、資本設備の分布を介して動作します。当社は、先進的なパッケージングプロセスと様々なナノテクノロジー・コンポーネントは、このような薄膜ヘッド磁気記録装置として(薄膜ヘッドまたはTFHS)、レーザダイオード、高輝度発光ダイオード(HBLEDs)を発するだけでなく、原子などを含む半導体デバイスの製造業者を、提供しています層堆積システム(ALD)。北米、欧州、アジアの全域に顧客に1対1(1X)イメージング技術に基づいて、当社の供給は、ステップ・アンド・リピートフォトリソグラフィシステム。これは、半導体製造プロセスで使用するための1Xリソグラフィシステム二以上の異なるシリーズを提供しています。当社は、Unityプラットフォーム上に構築されたレーザベース熱アニーリングツールのファミリーを提供しています。
ウルトラテック株式会社(ウルトラ)は、開発、製造およびフォトリソグラフィ、レーザー熱加工・検査装置を販売しています。当社は、集積回路及びナノテクノロジー部品部門のメーカーに製造、資本設備の分布を介して動作します。当社は、先進的なパッケージングプロセスと様々なナノテクノロジー・コンポーネントは、このような薄膜ヘッド磁気記録装置として(薄膜ヘッドまたはTFHS)、レーザダイオード、高輝度発光ダイオード(HBLEDs)を発するだけでなく、原子などを含む半導体デバイスの製造業者を、提供しています層堆積システム(ALD)。北米、欧州、アジアの全域に顧客に1対1(1X)イメージング技術に基づいて、当社の供給は、ステップ・アンド・リピートフォトリソグラフィシステム。これは、半導体製造プロセスで使用するための1Xリソグラフィシステム二以上の異なるシリーズを提供しています。当社は、Unityプラットフォーム上に構築されたレーザベース熱アニーリングツールのファミリーを提供しています。
(単位:百万ドル) | 自己資本比率 | 前年比 |
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2016年12月 | 87.88% | +0.05% |
2015年12月 | 87.84% | +0.45% |
2014年12月 | 87.45% | -1.77% |
2013年12月 | 89.03% | +3.69% |
2012年12月 | 85.86% |